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超电容器

高介电常数 电容科技

破坏性固态单层叠合太阳能电池板能量采集装置 

固态电容功率密度

固态单层储能装置 (SSESD) 的最新发展提供了一种解决方案。SSESD 以1600万的顺序将高介电常数介质与介电常数结合在一起。

一个 介质 是任何能被电场极化的电绝缘子。在电场的影响下, 电荷在介质中的分布变化, 使正电荷与电场一致。三主要 polarisations 机制是:
  • 离子极化, 其中正离子与电场和负离子流场有关
  • 介电介质包含具有永久偶极矩的材料的取向极化, 换言之, 分子的电荷分布不均匀
  • 接口极化, 其中自由移动充电在材料之内迁移到介电/电极接口;正电荷移动到负极和负极的正电荷。
电容器-图像信用: 爸爸11月

在最简单的形式中, 电容器由夹在两个导体之间的介电层组成。在导体上施加电压会产生电场。介电的介电常数或介电常数 (K) 是在没有介电的电场和电场 (E) 之间的比值。

K =

在所描述的单层电容器中, 当电压 (V) 在导体上应用时, 电容器中会产生电荷 (Q)。电压与电荷的比值被定义为电容器的电容 (C)。  

C = Q/V

存储的电荷量取决于导体的面积 (A)、它们之间的分离 (d) 和介电常数。

C = K (A/d)

因此, 对于具有相同尺寸的电容器, K 的值越高, 可存储的电荷量就越大。

存储在带电电容器中的势能 (E) 是电容 (C)、电极上的电压 (V) 的函数。它相当于对其进行收费的工作, 并可通过以下形式表示:

E = ½ CV2

过去两年的实验工作包括三步。

第一步是以高容量电容陶瓷的发展为参考材料。相比之下, Eestor 技术, 它有一个非常基本的低介电常数1.8万对我们的最新里程碑1600万。

第二步是开发高表面积陶瓷, 提高了电荷存储能力。

第三步将集中在金属基板上开发的介电薄膜上, 并能很好地附着在金属基体上, 并且不存在点蚀或不连续, 从而导致电容减少。我们将使用一个 新型超声波技术 用于混合和晶粒细化。

粉末在各种温度下按下并发射, 以产生致密的非多孔样品。然后对样品进行了 electroded, 并对电容 (C)、介电常数 (K)、介电损耗 (损耗) 和电容温度系数进行了测试。

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