固态单层超级电容器

固态超级电容器功率密度 

固态单层储能设备 (SSESD) 的最新发展提供了解决方案。SSESD 采用高允许率介电,电介质常数为 1600 万左右。

电介质是任何能够被电场偏振的电绝缘体。在电场的影响下,电介质中的电荷分布发生变化,使正电荷与电场保持一致。三个主要极化机制是:
  • 正离子随场流动,负离子随场流动,负离子随场流动
  • 定向极化,其中介电包含具有永久偶极子矩的材料,换句话说,分子的电荷分布不均匀
  • 接口极化,其中材料内的免费移动电荷迁移到介电/电极接口;正电荷移动到负极,正电荷移动到负极。
电容器 - 图像信用:爸爸十一月

在最简单的形式中,电容器由夹在两个导体之间的介电层组成。在导体上施加电压会产生电场。介电的介电常数或允许率(K)是无介电(Eo)的场与电介质(E)场之间的比率。

K = Eo/E

在所述的单层电容器中,当电压 (V) 施加在导体上时,电容器中会产生电荷 (Q)。电压和电荷之间的比率定义为电容器的电容 (C)。  

C = Q/V

存储的电荷量取决于导体的区域 (A)、导体之间的分离 (d) 和介电常数。

C = K(A/d)

因此,对于具有相同尺寸的电容器,K 的值越高,可存储的电荷量就越大。

电容中储存的电能 (E) 是电极电容 (C) 的电压 (V) 的函数.它相当于通过充电所做的工作,可以通过以下表示:

E = 1/2 CV2

过去两年的实验工作包括三个步骤。

第一步的核心是开发高电容陶瓷作为参考材料。与Eestor 技术相比,Eestor技术具有 18,000 的非常基本的低介电常数,而我们最新的里程碑为 1600 万。

二步的重点是开发具有改进电荷存储能力的高表面积陶瓷。

三步将集中在金属基板上的电介质薄膜的开发上,与金属基板具有良好的粘附性,并且不产生降低电容的点蚀或不连续。我们将使用一种新的超声波技术进行混合和谷物精炼。

粉末在各种温度下被压榨和燃烧,以产生密集的非多孔样品。然后对样品进行电极测试,测试电容(C)、介电常数(K)、电介质损耗(损耗褐色)和电容温度系数(TCC)。

超卡普能源有限公司

UltraCap能源有限公司的成立目标是开发环保储能设备或"电池"。现在,60% 的器件已经开发出来,将彻底改变电能的存储和运输方式。只需 4 分钟的充电时间,使用电池的电动汽车就能行驶长达 480 公里,远远超过目前缓慢充电的锂离子电池。

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