ソリッドステート単層ウルトラキャパサ

ソリッドステートウルトラキャパサパワー密度 

ソリッドステート単層エネルギー貯蔵デバイス(SSESD)の最近の開発は、ソリューションを提供しています。SSESDは1600万の順序の誘電定と高い許可率の誘電体を組み込む。

誘電体は、電界によって偏光することができる任意の電気絶縁体です。電界の影響下で、誘電体の電荷分布が変化し、正の電荷がフィールドに合致します。3つの主要な偏光メカニズムは次のとおりです。
  • 正イオンがフィールドと共に流れ、マイナスイオンがフィールドに対して流れるイオン偏光
  • 誘電が永久的な双極子モーメントを持つ材料を含む方向偏光、言い換えれば、分子は不均一な電荷分布を有する
  • インターフェイス偏光, 材料内の無料のモバイル電荷は、誘電/電極インターフェイスに移行します。正の電荷は負の電極に移動し、負の電極に正の電荷を移動します。
コンデンサ - 画像クレジット: パパ 11月

その最も簡単な形態では、コンデンサは2つの導体の間に挟まれた誘電体層から成っている。導体全体に電圧を印加すると、電界が作成されます。誘電体の誘電定数または許可率(K)は、誘電体のない電界(Eo)と誘電体(E)を持つ電界との比率である。

K = Eo/E

前述の単層コンデンサでは、導体全体に電圧(V)が印加されると、コンデンサに電荷(Q)が誘導される。電圧と電荷の比率は、コンデンサの容量(C)として定義されます。  

C = Q/V

格納される電荷量は、導体の面積(A)、導体間の分離(d)、誘電定数によって異なります。

C = K(A/d)

したがって、同じ寸法を持つコンデンサの場合、K の値が大きいほど、格納できる電荷量が大きくなります。

帯電コンデンサに蓄えられた電位エネルギー(E)は、電極を横切る容量(C)、電圧(V)の機能である。これは、充電によって行われた作業と同等であり、次のように表現できます。

E = 1/2 CV2

過去2年間の実験作業は3つのステップで構成された。

第一歩は、基準材料として使用する高容量のバルクコンデンサセラミックスの開発に焦点を当て、第一歩を踏み出しました。1600万の私たちの最新のマイルストーンに対して18,000の非常に基本的な低誘電定数を有するエスター技術とは対照的に。

第2段階は、充電貯蔵機能を向上させた高表面積セラミックスの開発に焦点を当てました。

第3のステップは、金属基板に良好に付着し、静電容量の低下を引き起こさないピットや不連続性を有しない金属基板上の開発誘電膜の開発に焦点を当てます。混合と穀物の精製のための新しい超音波技術を使用します。

粉末を圧圧し、様々な温度で焼き上げ、緻密な非多孔質サンプルを製造した。その後、試料を電気で調圧し、容量(C)、誘電定数(K)、誘電損失(損失日焼け)、静電容量(TCC)の温度係数について試験した。

ウルトラキャップエナジー株式会社

ウルトラキャップエナジー株式会社は、環境に優しいエネルギー貯蔵装置または「電池」の開発を目的として設立されました。現在60%が開発され、これらのデバイスは電気エネルギーの貯蔵と輸送方法に革命をもたらすでしょう。わずか4分の充電で、当社のバッテリーを使用する電気自動車は、現在の低速充電リチウムイオン電池をはるかに上回る480キロメートルの走行が可能です。

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