关于高介电常数和低电压充电
最近两年的实验工作包括三个步骤。
发用于参考材料的具有高电容电常数的大容量陶瓷。与介电常数为18,000Eestor术相比，我们目前可实现高达
发经过改进的电荷存储能力的高比表面积的陶瓷。
发具有很强粘性的附在金属基材上的介电膜，具有无麻点或不连续性，避免了使电容减小的不利因素。
我们将使用一种新型的超声波技术来对晶粒进行混合和细化处理。
在不同的温度范围内，对粉末进行挤压和激发，产生致密的非多孔样品。然后对样品进行电极化处理并测试其电容（电损耗（损耗正切）和电容的温度系数（
样品取得了比 Eestor 所示。（点击图片可以放大）
