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性能优越的超级电容技术

关于高介电常数和低电压充电

最近两年的实验工作包括三个步骤。

发用于参考材料的具有高电容电常数的大容量陶瓷。与介电常数为18,000Eestor术相比,我们目前可实现高达

发经过改进的电荷存储能力的高比表面积的陶瓷。

发具有很强粘性的附在金属基材上的介电膜,具有无麻点或不连续性,避免了使电容减小的不利因素。

我们将使用一种新型的超声波技术来对晶粒进行混合和细化处理。

在不同的温度范围内,对粉末进行挤压和激发,产生致密的非多孔样品。然后对样品进行电极化处理并测试其电容(电损耗(损耗正切)和电容的温度系数(

样品取得了比 Eestor 所示。(点击图片可以放大)