高容量超级电容

最近两年的试验工作包括三个步骤。第一步 集重开发用于参考材料的具有高电容/介电常数的大容量陶瓷。

 

第二步 集重开发 经过改进的电荷存储能力的高比表面积的陶瓷。

 

第三步 将集重开发具有粘性很强的附在金属基材上的介电膜,具有无麻点或不连续性,避免了使电容减小的不利因素。我们将使用一种新型的超声波技术来对晶粒进行混合和细化处理。

 

在不同的温度范围内,对粉末进行挤压和激发,产生致密的非多孔样品。然后对样品进行电极化处理并测试其电容(C )、介电常数(K )、介电损耗(损耗正切)和电容的温度系数(TCC ) 。

用样品取得了显着 较高的介电常数,见左面图 1。(点击图片可以放大)。

高比表面积

有一个高比表面积是重要的,因为可以防止跑电现象的发生。已经开展了深入的工作。 

SEM陶瓷薄膜

烧结之后,在光学和电子显微镜下观察到薄膜的表面均匀性和厚度。没有观察到缺陷,薄膜的厚度为10至100微米不等。

与金属电极相连接

与烧结温度相关的介电常数的增加被认为与膜密度的增加相关联,同时也与膜粘附/粘合到金属电极的改进相关联。