性能优越的超级电容技术

关于高介电常数和低电压充电


最近两年的实验工作包括三个步骤。

 

 第一步 集中开发用于参考材料的具有高电容/电常数的大容量陶瓷。与介电常数为18,000Eestor术相比,我们目前可实现高达1600万的介电常数。

 

第二步 集中开发经过改进的电荷存储能力的高比表面积的陶瓷。

第三步 将集中开发具有很强粘性的附在金属基材上的介电膜,具有无麻点或不连续性,避免了使电容减小的不利因素。

 

我们将使用一种新型的超声波技术来对晶粒进行混合和细化处理。

 

在不同的温度范围内,对粉末进行挤压和激发,产生致密的非多孔样品。然后对样品进行电极化处理并测试其电容(C),介电常数(K),介电损耗(损耗正切)和电容的温度系数(TCC

 

样品取得了比 显著 高的介电常数 Eestor ,如左边图1所示。(点击图片可以放大)


高比表面积

高表面积对于防止电流流失非常重要。在这方面做了大量工作。 

SEM 陶瓷薄膜

烧结后,在光学和电子显微镜下观察膜的表面均匀性和厚度。没有观察到缺陷,膜的 厚度 10微米变化到100微米。 

粘合到金属电极

电常数随着烧结温度而增加,这被认为与膜密度的增加和与金属电极膜粘附/结合的改善有关。